本期内容
2021年10/11月刊
封面故事 Cover Story
一种独特的在纳米线p-n异质结中的双向光电流现象
Bidirectional photocurrent in p–n heterojunction nanowires
编者话 Editorial
第二代半导体之InP
The second generation semiconductors: InP
业界动态 Industry
通用汽车与Wolfspeed达成战略供应商协议，在通用汽车未来电动汽 车计划中采用SiC
GM and Wolfspeed have reached a strategic supplier agreement to adopt SiC in GM's future electric vehicle plans
钙钛矿-硅复合材料达到近30%的效率
Perovskite-silicon composite material reaches nearly 30% efficiency
晶湛展示300mm硅基氮化镓HEMT晶圆
Enkris showcases 300mm silicon-based gallium nitride HEMT wafers
香港科技大学研究人员扩大GaN的范围
Hong Kong University of Science and Technology researchers expand the scope of GaN
InP裸片市场提供机会和利润
InP die market offers opportunities and profits
英飞凌和松下加速GaN的发展
Infineon and Panasonic accelerate the development of GaN
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
高端访谈 Top interview
安森美赋能可持续发展的生态系统
ON Semiconductor empowers a sustainable ecosystem
技术 Technology
采用智能切割技术的绿色 SiC 晶圆
A greener SiC wafer with Smart Cut technology
AlPN的首次亮相
A debut for AlPN
GTAT 满足快速增长的碳化硅需求
GTAT MEETING RAPIDLY GROWING DEMAND FOR SIC
完美的激光
The perfect laser
深紫外线设计
Deep-UV designs
科技前沿 Research Review
雾化学气相沉积增强MIS-HEMTs
Mist-CVD enhances MIS-HEMTs
Nichia提高了蓝绿垂直腔面发射激光器的效率
Nichia raises the bar for blue and green VCSEL efficiency
利用极化工程实现GaN MSM紫外探测器的“自驱动”特性
Using polarization engineering to realize the "self-driving" characteristics of GaN MSM ultraviolet detectors
用热循环增强蓝宝石模板上的氮化铝
Enhancing AlN-on-sapphire templates with thermal cycling
九峰山实验室专栏 JFS Laboratory Column
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粤公网安备 44030402004706号
半导体 p-n 结因其具备独特的单向导电性而成为当今无数电子器件中最基础的构成单元。但同时因 为传统p-n 结必须严格遵循经典半导体物理中p-n 结的单向导电性或整流特性，大大限制了p-n 结 器件的多功能性。在这里，我们创新性的提出一种在电解质溶液环境下工作的基于垂直排列p 型铝镓 氮半导体（AlGaN）和n 型氮化镓半导体（GaN）所构建而成的纳米线p-n 异质结的光电化学光探 测器。并利用铂纳米粒子修饰该纳米线，实现了一种独特的在不同光照条件下光电流极性反转的现象。 也就是说，器件随着受光波长的不同，产生的光电流的极性（正号或负号）发生改变。具体来说，器 件在两种不同波长（254 nm 和 365 nm）光的照射下，纳米线和电解质溶液界面处会触发还原（254nm 光照下）或者氧化反应（365nm 光照下），从而引起光电流的极性反转。该器件在0V 工作条件下， 在254 nm 光照射下响应度高达-175 mA/W，在365 nm 光照射下，其响应度为31 mA/W。