本期内容
2017年第四期
封面故事 Cover Story
三维技术:
Ⅲ-V族的可行性进步
The third dimension: The logical step for Ⅲ-Vs
- Sanghyeon Kim，Seongkwang Kim, Hyung-Jun Kim，韩国科学技术部
编者话 Editorial
GaN技术为量产做准备
业界动态 Industry
II-VI Epiworks: 规模扩大且更富胆识
II-VI Epiworks: Bigger and Bolder
Akash带金刚石基 GaN进入卫星通信领域
Akash drives GaN-on-diamond technology into the satellite communications
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
MicroLED会是下一场显示革命吗？
Is the MicroLED the next display revolution?
- ERIC VIREY，Yole Développement
任意转移GaN: 从Nb2N上来释放GaN膜层
GaN on anything: Giving GaN freedom from Nb2N
- DAVID MEYER, BRIAN DOWNEY, D. SCOTT KATZER, MARIO ANCONA, SHAWN MACK, LAURA RUPPALT; 美国海军研究实验室
GaAs和GaN裸片组件和处理程序
GaAs and GaN die assembly and handling procedures
- Qorvo应用工程部门员工
广告索引 Advertisement Index
广告索引
Advertisement Index
粤公网安备 44030402004706号
晶圆键合和衬底复用提供了制造绝缘体上InGaAs的MOSFET途径，这个架构可以通过垂直堆叠增加晶体管密度，同时降低功耗。