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总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目通线
2026/1/6 10:15:02
据杭州士兰微电子股份有限公司官微消息，1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区举行8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式。
此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规�；桓兜墓丶缭�。
据悉，项目实施主体为厦门士兰集宏半导体有限公司（简称“士兰集宏”），总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。此前消息显示，二期建设计划投资50亿元，投产后将与士兰明镓的6英寸碳化硅产线通过技术互补，供应链协同和知识共享等方式，实现整合发展。
该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。
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