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LED 照明领域的市场领先者科锐公司日前宣布将扩大今年秋季推出的对LED照明生产商的支持服务，添加两项科锐TEMPO™服务。 Edwards新型iXH500H干泵系列显著降低拥有成本 2011-12-14
新型干泵经优化用于需要较高气体流量和灵活泵温范围（pump temperature profiles）的太阳能、平板显示器和半导体工艺 德国Heliatek制造转换率为9.8%有机光伏电池 2011-12-8
德国太阳能电池制造商HeliatekG.m.b.H成功制造出转换率为9.8%的有机电池，创下世界纪录。 ANADIGICS 4G功率放大器再出新品 2011-12-1
ANADIGICS新型WiMAX/LTE功率放大器提高线性输出功率，扩大传输距离，增大吞吐量 应用材料公司推出原子级薄膜处理系统 2011-12-1
应用材料公司推出全新的Applied Producer Onyx薄膜处理系统，以降低半导体芯片的功耗。 Q-Cells薄膜组件功效又刷世界纪录 2011-12-1
德国组件厂商和安装商Q-Cells，宣布其铜铟硒（CIGS）薄膜组件在16平方厘米尺寸的孔径面积功效又新刷世界纪录，已达17.4%。 RFMD公司推出氮化镓有线电视表面贴装功率倍增�？�... 2011-11-15
RFCM2680 是业界首款专门针对有线电视网络的表面贴装氮化镓功率倍增�？�。 Singulus推出可同时清洗薄膜光伏电池背面与边缘的... 2011-11-2
该技术与浸渍池相比还具有其他优势，如较高的蚀刻长度和浓度、高达每分钟5米的较快的处理速度和最小的结转等。 RFMD 推出的 RFHA1000 15W 氮化镓宽频功率放大器 2011-11-1
RFHA1000 氮化镓功率 IC (PIC) 是一款宽频功率放大器，专为连续波和脉冲应用而设计 TE Connectivity推出小尺寸功率继电器，用于光伏逆... 2011-10-27
TE Connectivity 中的TE继电器部门，最近推出了一款创新型小尺寸功率继电器，用于现代光伏发电系统的光伏逆变器中。 PCFN功率继电器可将太阳能平滑地传给电网。 RFMD推出RF3928 氮化镓宽带脉冲功率放大器 2011-10-21
RF3928 是一款 50V 280W 的高功率分立放大器，专用于 S 波段脉冲雷达、空中交通管制和监督 (ATCS) 以及通用宽带放大器应用。 恩智浦针对卫星电视接收器应用推出业界最低功率Ku... 2011-10-17
恩智浦半导体宣布推出TFF101xHN系列集成降频转换器，适用于低噪声模块（LNB）10.7GHz至12.75GHz Ku-波段卫星接收系统。高度集成的LNB降频转换器可提高系统性能、延长产品寿命、并降低生产成本. OK国际推出功能强大的拆焊系统以及独特的升级套件... 2011-10-17
全新的MFR-1150拆焊设备，为现有的MFR焊接和返修工具产品系列又增加了可使用外接气源进行拆焊的功能选项。MFR-UK5升级套件的推出，进一步扩展了MFR拆焊系统的功能. 科锐新型1200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管提高太阳能... 2011-10-11
科锐公司最新推出的1200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管产品均采用行业标准的TO-252 D-Pak表面贴装封装，提供额定电流分别为2A，5A，8A 和 10A的表面贴装器件。 宜普推出氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2012 2011-10-10
宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。 杜邦新一代Solamet导电浆降低15%太阳能材料成本 2011-10-8
Solamet PV51M 太阳能导电浆料是用于制造太阳能电池的一种崭新背面电极。此突破性的材料配方，可使电池制造商减少高达15%的材料使用，协助太阳能产业减少对贵金属银的依赖，并减轻银价上升对太阳... Ammono推出创新N-GaN衬底 2011-9-29
这些新产品基于一种创新的n型材料，具有较高的透明度和较低的载流子浓度，在LED生产和光伏应用中应该有额外的好处 道康宁推出OE-6370系列光学封装胶助力LED制造 2011-9-29
道康宁公司道康宁® OE-6370系列光学封装胶，进一步扩充了LED专用的双组分甲基硅橡胶封装材料的产品线。OE-6370M专为气压式点胶设计，粘性低，使用寿命长；OE-6370HF专为自动注塑而开发，粘性... Fujitsu 开发出全球首款覆盖C-Ku波段的GaN HEMT 收... 2011-9-27
日本富士通实验室（FUJITSU LABORATORIES）宣布其已经成功开发出世界第一个采用GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的收发（T/R）组件 Schmid 选择性发射极刻蚀机继续成功之道 2011-9-23
Schmid的湿化学工艺以最小的成本为客户提高明显地竞争优势。以激光为基础的选择性发射极单晶技术仅仅通过提高开压（短流并无提升）达到0.3%的提升；与此相比，Schmid开发的湿化学技术同时提高短流...
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